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MagnaChip MDD1501RH MOSFET

訂 貨 號:MDD1501RH      品牌:

庫存數(shù)量:10             品牌屬性:進口

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公司基本資料信息







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MagnaChip MDD1501RH MOSFET
產(chǎn)品詳細信息

低電壓 (LV) MOSFET

這些低電壓 (LV) MOSFET 提供低通態(tài)電阻和快速切換性能。

MOSFET 晶體管,MagnaChip


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 67 A
最大漏源電壓 30 V
封裝類型 DPAK (TO-252)
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 3
最大漏源電阻值 8.6 mΩ
通道模式 增強
最大柵閾值電壓 2.7V
最大功率耗散 44.6 W
晶體管配置
最大柵源電壓 -20 V、+20 V
典型柵極電荷@Vgs 20.7 nC @ 10 V
晶體管材料 Si
最高工作溫度 +150 °C
長度 6.73mm
每片芯片元件數(shù)目 1
寬度 6.22mm
暫無

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