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產(chǎn)品分類

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+比較

Vishay IRFP460BPBF MOSFET

訂 貨 號(hào):IRFP460BPBF      品牌:威世_Vishay

庫(kù)存數(shù)量:10             品牌屬性:進(jìn)口

品牌商價(jià):¥0.00

環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看

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公司基本資料信息







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Vishay IRFP460BPBF MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

N 通道 MOSFET,D 系列高電壓,Vishay Semiconductor

Vishay D 系列功率 MOSFET

特點(diǎn)
?最佳設(shè)計(jì)
- 低區(qū)域特定接通電阻
- 低輸入電容( Ciss )
- 降低電容性開關(guān)損耗
- 高車身二極管堅(jiān)固性
- Avalanche 能源評(píng)級(jí)( UIS )
?最佳效率和操作
- 低成本
-簡(jiǎn)單柵極驅(qū)動(dòng)電路
- 低功耗( FOM ): Ron x Qg
- 快速切換

應(yīng)用
? 消費(fèi)電子產(chǎn)品
-顯示器(液晶電視或等離子電視)
?服務(wù)器和電信電源
- SMPS
? 工業(yè)
- 焊接
- 感應(yīng)加熱
- 電機(jī)驅(qū)動(dòng)器
?電池充電器
? SMPS
- 功率因數(shù)校正( PFC )

MOSFET 晶體管,Vishay Semiconductor


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 20 A
最大漏源電壓 500 V
封裝類型 TO-247AC
安裝類型 通孔
引腳數(shù)目 3
最大漏源電阻值 250 mΩ
通道模式 增強(qiáng)
最小柵閾值電壓 2V
最大功率耗散 278 W
晶體管配置
最大柵源電壓 -20 V、+20 V
寬度 5.31mm
每片芯片元件數(shù)目 1
晶體管材料 Si
典型柵極電荷@Vgs 85 nC @ 10 V
長(zhǎng)度 15.87mm
最高工作溫度 +150 °C
暫無

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