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產(chǎn)品分類(lèi)

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Infineon IPD053N08N3GATMA1 MOSFET

訂 貨 號(hào):IPD053N08N3GATMA1      品牌:GAT

庫(kù)存數(shù)量:10             品牌屬性:進(jìn)口

品牌商價(jià):¥0.00

環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看

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公司基本資料信息







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Infineon IPD053N08N3GATMA1 MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

Infineon OptiMOS?3 功率 MOSFET,60 至 80V

OptiMOS? 產(chǎn)品提供高性能封裝,可處理最具挑戰(zhàn)性的應(yīng)用,在有限空間提供全部靈活性。 這些 Infineon 產(chǎn)品經(jīng)的設(shè)計(jì)符合并超過(guò)計(jì)算機(jī)應(yīng)用中更嚴(yán)格的下一代電壓調(diào)節(jié)標(biāo)準(zhǔn)的能效和功率密度要求。

快速切換 MOSFET,用于 SMPS
優(yōu)化技術(shù),用于直流/直流轉(zhuǎn)換器
符合目標(biāo)應(yīng)用的 JEDEC1 規(guī)格
N 通道,邏輯電平
極佳的柵極電荷 x R DS(on) 產(chǎn)品 (FOM)
極低導(dǎo)通電阻 R DS(on)
無(wú)鉛電鍍

Infineon MOSFET

Infineon TO-252-3 表面安裝 N 通道 MOSFET 是一款新型產(chǎn)品、在 10V 柵源電壓下具有 5.3 毫歐姆的漏源電阻。MOSFET 具有 90A 的連續(xù)漏極電流。它的最大柵源電壓為 20V 、漏源電壓為 80V 。它的最大功耗為 150W 。 MOSFET 的最小和最大驅(qū)動(dòng)電壓分別為 6V 和 10V 。它經(jīng)過(guò)優(yōu)化、可降低開(kāi)關(guān)和傳導(dǎo)損耗。MOSFET 可應(yīng)對(duì)最具挑戰(zhàn)性的應(yīng)用、在有限的空間內(nèi)提供完全的靈活性。它旨在滿足并超越計(jì)算應(yīng)用中經(jīng)過(guò)強(qiáng)化的下一代電壓調(diào)節(jié)標(biāo)準(zhǔn)的能效和功率密度要求。MOSFET 可提供卓越的效率以及較長(zhǎng)的使用壽命、而不會(huì)影響性能或功能。

特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)

?雙面冷卻
?出色的柵極充電 x R DS (開(kāi))產(chǎn)品( FOM )
? 無(wú)鹵素
?無(wú)鉛 (Pb) 電鍍
?寄生電感低
?薄型(< 0 、 7mm )
?工作溫度范圍在 -55°C 和 175°C 之間
?優(yōu)化的直流 - 直流轉(zhuǎn)換器技術(shù)
?優(yōu)異的熱阻
?電阻極低

應(yīng)用

?交流 - 直流
?適配器
?直流 - 直流
? LED
? 電動(dòng)機(jī)控制
? PC 電源
?服務(wù)器電源
? SMPS
? 太陽(yáng)能
? 電信

認(rèn)證

? ANSI/ESD S20.20 : 2014
? BS EN 61340-5-1 : 2007
? IEC61249 - 2-21
? JEDEC

MOSFET 晶體管,Infineon

Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設(shè)備組合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類(lèi)最佳性能,實(shí)現(xiàn)更高效率、功率密度和成本效益。需要高質(zhì)量和增強(qiáng)型保護(hù)功能的設(shè)計(jì)獲益于符合 AEC-Q101 汽車(chē)工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的 MOSFET。


屬性 數(shù)值
通道類(lèi)型 N
最大連續(xù)漏極電流 90 A
最大漏源電壓 80 V
封裝類(lèi)型 TO-252
安裝類(lèi)型 表面貼裝
引腳數(shù)目 3 + 2 Tab
最大漏源電阻值 9.5 mΩ
通道模式 增強(qiáng)
最大柵閾值電壓 3.5V
最小柵閾值電壓 2V
最大功率耗散 150 W
晶體管配置
最大柵源電壓 20 V
典型柵極電荷@Vgs 52 nC @ 10 V
長(zhǎng)度 6.73mm
每片芯片元件數(shù)目 1
最高工作溫度 +175 °C
寬度 7.36mm
暫無(wú)

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