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德州儀器 CSD16570Q5BT MOSFET

訂 貨 號：CSD16570Q5BT      品牌：

庫存數(shù)量：10             品牌屬性：進口

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德州儀器 CSD16570Q5BT MOSFET
產(chǎn)品詳細信息

N 通道 NexFET? 功率 MOSFET，Texas Instruments

MOSFET 晶體管，Texas Instruments


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 456 A
最大漏源電壓 25 V
封裝類型 VSON-CLIP
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 8
最大漏源電阻值 820 μΩ
通道模式 增強
最大柵閾值電壓 1.9V
最小柵閾值電壓 1.1V
最大功率耗散 195 W
晶體管配置 單
最大柵源電壓 -20 V、+20 V
長度 5mm
最高工作溫度 +150 °C
寬度 6mm
每片芯片元件數(shù)目 1
典型柵極電荷@Vgs 192 nC @ 10 V，95 nC @ 4.5 V
晶體管材料 Si
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