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產(chǎn)品分類
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Infineon IRFU5305PBF MOSFET

訂 貨 號(hào)：IRFU5305PBF      品牌：國(guó)際整流器_IR

庫存數(shù)量：10             品牌屬性：進(jìn)口

品牌商價(jià)：￥0.00

環(huán) 球 價(jià)： 登陸后可查看

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公司基本資料信息







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Infineon IRFU5305PBF MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

Infineon P通道功率MOSFET 40V到55V

Infineon的分立式HEXFET?功率MOSFET系列包括采用表面安裝和引線封裝的P通道器件，以及可應(yīng)對(duì)幾乎所有電路板布局和散熱設(shè)計(jì)難題的外形尺寸。在整個(gè)系列內(nèi)，電阻基準(zhǔn)降低了傳導(dǎo)損耗，使設(shè)計(jì)人員能夠提供最佳的系統(tǒng)效率。

http://media.rs-online.com/t_line/LB1POLAR-21.gif

MOSFET 晶體管，Infineon

Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設(shè)備組合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類最佳性能，實(shí)現(xiàn)更高效率、功率密度和成本效益。需要高質(zhì)量和增強(qiáng)型保護(hù)功能的設(shè)計(jì)獲益于符合 AEC-Q101 汽車工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的 MOSFET。


屬性 數(shù)值
通道類型 P
最大連續(xù)漏極電流 31 A
最大漏源電壓 55 V
封裝類型 IPAK (TO-251)
安裝類型 通孔
引腳數(shù)目 3
最大漏源電阻值 65 mΩ
通道模式 增強(qiáng)
最大柵閾值電壓 4V
最小柵閾值電壓 2V
最大功率耗散 110 W
晶體管配置 單
最大柵源電壓 -20 V、+20 V
晶體管材料 Si
最高工作溫度 +175 °C
每片芯片元件數(shù)目 1
寬度 2.3mm
典型柵極電荷@Vgs 63 nC @ 10 V
長(zhǎng)度 6.6mm
暫無

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