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德州儀器 CSD18502Q5B MOSFET

訂 貨 號:CSD18502Q5B      品牌:

庫存數(shù)量:10             品牌屬性:進口

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公司基本資料信息







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德州儀器 CSD18502Q5B MOSFET
產(chǎn)品詳細信息

N 通道 NexFET? 功率 MOSFET,Texas Instruments

MOSFET 晶體管,Texas Instruments


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 204 A
最大漏源電壓 40 V
封裝類型 VSON
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 8
最大漏源電阻值 3.3 mΩ
通道模式 增強
最大柵閾值電壓 2.2V
最小柵閾值電壓 1.5V
最大功率耗散 3.2 W
晶體管配置
最大柵源電壓 -20 V、+20 V
每片芯片元件數(shù)目 1
最高工作溫度 +150 °C
寬度 5.1mm
晶體管材料 Si
典型柵極電荷@Vgs 25 nC @ 4.5 V
長度 6.1mm
暫無

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