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onsemi RFD14N05LSM MOSFET

訂貨號：RFD14N05LSM 品牌：安森美_Onsemi

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增強模式 N 通道 MOSFET， Fairchild Semiconductor

增強模式場效應晶體管 (FET) 使用了 Fairchild 的專利高單元密度的 DMOS 技術進行生產。這種高密度工藝設計用于盡量減小通態(tài)電阻，提供耐用可靠的性能和快速切換。

半導體 MOSFET 晶體管，半

在半自動模式下， MOSFET 器件的組合相當龐大，包括高電壓 (250V)> 和低電壓 (250V)< 類型。先進的硅技術提供更小的芯片尺寸，其整合到多種工業(yè)標準和耐熱增強型封裝中。
在半 MOSFET 上，可提供卓越的設計可靠性，從降低的電壓峰值和過沖，到降低接點電容和反向恢復電荷，以及消除額外的外部組件，從而使系統保持較長的運行時間。

屬性	數值
通道類型	N
最大連續(xù)漏極電流	14 A
最大漏源電壓	50 V
封裝類型	DPAK (TO-252)
安裝類型	表面貼裝
引腳數目	3
最大漏源電阻值	100 mΩ
通道模式	增強
最小柵閾值電壓	1V
最大功率耗散	48 W
晶體管配置	單
最大柵源電壓	-10 V、+10 V
每片芯片元件數目	1
寬度	6.22mm
晶體管材料	Si
長度	6.73mm
典型柵極電荷@Vgs	25 nC @ 5 V，40 nC @ 10 V
最高工作溫度	+175 °C

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