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Infineon IRFS31N20DPBF MOSFET

訂貨號(hào)：IRFS31N20DPBF 品牌：國(guó)際整流器_IR

庫(kù)存數(shù)量：10 品牌屬性：進(jìn)口

品牌商價(jià)：￥0.00

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N 通道功率 MOSFET 150V 至 600V，Infineon

Infineon 的分立 HEXFET? 功率 MOSFET 系列包括表面安裝和引線封裝的 N 通道設(shè)備，外形可應(yīng)對(duì)幾乎任何板布局和熱設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)。在整個(gè)范圍內(nèi)，基準(zhǔn)導(dǎo)通電阻減少了傳導(dǎo)損耗，讓設(shè)計(jì)人員可以提供最佳系統(tǒng)效率。

Infineon IRFS31N20D 是 200V 單 N 通道 HEXFET 功率 MOSFET ，采用 D2-Pak 封裝。它用于高頻直流 - 直流轉(zhuǎn)換器。

低柵極至漏極，可減少切換損耗
完全具有雪崩電壓和電流特征

MOSFET 晶體管，Infineon

Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設(shè)備組合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類最佳性能，實(shí)現(xiàn)更高效率、功率密度和成本效益。需要高質(zhì)量和增強(qiáng)型保護(hù)功能的設(shè)計(jì)獲益于符合 AEC-Q101 汽車工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的 MOSFET。

屬性	數(shù)值
通道類型	N
最大連續(xù)漏極電流	31 A
最大漏源電壓	200 V
封裝類型	D2PAK (TO-263)
安裝類型	表面貼裝
引腳數(shù)目	3
最大漏源電阻值	82 mΩ
通道模式	增強(qiáng)
最大柵閾值電壓	5.5V
最小柵閾值電壓	3V
最大功率耗散	3.1 W
晶體管配置	單
最大柵源電壓	-30 V、+30 V
每片芯片元件數(shù)目	1
典型柵極電荷@Vgs	70 nC @ 10 V
晶體管材料	Si
最高工作溫度	+175 °C
長(zhǎng)度	10.67mm
寬度	9.65mm

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