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Fairchild Semiconductor FDG6335N MOSFET

訂貨號(hào)：FDG6335N 品牌：IRC

庫(kù)存數(shù)量：10 品牌屬性：進(jìn)口

品牌商價(jià)：￥0.00

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PowerTrench? 雙 N 通道 MOSFET，F(xiàn)airchild Semiconductor

SEMis PowerTrench ? MOSFET 是優(yōu)化的電源開(kāi)關(guān)，可提高系統(tǒng)效率和功率密度。它們結(jié)合了小柵電荷，小反向恢復(fù)和軟反向恢復(fù)主體二極管，有助于在交流 / 直流電源中快速切換同步整流。
PowerTrench? MOSFET 的軟性主體二極管性能可無(wú)需緩沖電路或替換更高額定電壓的 MOSFET。

半導(dǎo)體 MOSFET 晶體管，半

在半自動(dòng)模式下， MOSFET 器件的組合相當(dāng)龐大，包括高電壓 (250V)> 和低電壓 (250V)< 類型。先進(jìn)的硅技術(shù)提供更小的芯片尺寸，其整合到多種工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)和耐熱增強(qiáng)型封裝中。
在半 MOSFET 上，可提供卓越的設(shè)計(jì)可靠性，從降低的電壓峰值和過(guò)沖，到降低接點(diǎn)電容和反向恢復(fù)電荷，以及消除額外的外部組件，從而使系統(tǒng)保持較長(zhǎng)的運(yùn)行時(shí)間。

屬性	數(shù)值
通道類型	N
最大連續(xù)漏極電流	700 mA
最大漏源電壓	20 V
封裝類型	SC-70
安裝類型	表面貼裝
引腳數(shù)目	6
最大漏源電阻值	440 mΩ
通道模式	增強(qiáng)
最小柵閾值電壓	0.6V
最大功率耗散	300 mW
晶體管配置	隔離式
最大柵源電壓	-12 V、+12 V
典型柵極電荷@Vgs	1.1 nC @ 4.5 V
每片芯片元件數(shù)目	2
長(zhǎng)度	2mm
最高工作溫度	+150 °C
寬度	1.25mm
晶體管材料	Si

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