功率 MOSFET 是采用微處理技術的低接通電阻設備，適用于廣泛的應用。廣泛的產品系列包含緊湊型、高功率型和復合型，可滿足市場中的各種需求。
低接通電阻。
快速切換速度。
柵-源電壓 (VGSS) 保證達到 ±20 V。
驅動電路可以很簡單。
易于并行使用。
無鉛引線電鍍
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 24 A |
| 最大漏源電壓 | 600 V |
| 封裝類型 | TO-263 |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 2 + Tab |
| 最大漏源電阻值 | 320 mΩ |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 4V |
| 最小柵閾值電壓 | 2V |
| 最大功率耗散 | 245 W |
| 晶體管配置 | 單 |
| 最大柵源電壓 | ±30 V |
| 最高工作溫度 | +150 °C |
| 典型柵極電荷@Vgs | 70 nC @ 10 V |
| 寬度 | 9.2mm |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 長度 | 10.4mm |
