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Infineon IRF7424TRPBF MOSFET

訂貨號：IRF7424TRPBF 品牌：國際整流器_IR

庫存數(shù)量：10 品牌屬性：進(jìn)口

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P 通道功率 MOSFET 30V，Infineon

Infineon 分立 HEXFET? 功率 MOSFET 系列包括表面安裝和引線封裝的 P 通道設(shè)備，外形可應(yīng)對幾乎任何板布局和熱設(shè)計挑戰(zhàn)。在整個范圍內(nèi)，基準(zhǔn)導(dǎo)通電阻減少了傳導(dǎo)損耗，讓設(shè)計人員可以提供最佳系統(tǒng)效率。

Infineon IRF7424 是 30V 單 P 溝道 HEXFET 功率 MOSFET ，采用 SO-8 封裝。SO-8 經(jīng)改良通過自定義引線框，可增強(qiáng)熱特性和多模功能，使其特別適用于各種電源應(yīng)用。

符合 RoHS
行業(yè)領(lǐng)先的質(zhì)量
工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)引腳輸出
P 溝道 MOSFET

MOSFET 晶體管，Infineon

Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設(shè)備組合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類最佳性能，實現(xiàn)更高效率、功率密度和成本效益。需要高質(zhì)量和增強(qiáng)型保護(hù)功能的設(shè)計獲益于符合 AEC-Q101 汽車工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的 MOSFET。

屬性	數(shù)值
通道類型	P
最大連續(xù)漏極電流	11 A
最大漏源電壓	30 V
封裝類型	SO
安裝類型	表面貼裝
引腳數(shù)目	8
最大漏源電阻值	22 mΩ
通道模式	增強(qiáng)
最大柵閾值電壓	2.5V
最小柵閾值電壓	1V
最大功率耗散	2.5 W
晶體管配置	單
最大柵源電壓	20 V
寬度	4mm
每片芯片元件數(shù)目	1
長度	5mm
典型柵極電荷@Vgs	75 nC @ 10 V
最高工作溫度	+150 °C

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