Micro semi 的 Microchip 碳化硅功率場效應管 (MOSFET) 產品系列，在降低高壓應用總成本的同時提高了硅 MOSFET 和硅 IGBT 解決方案的性能。
低電容和低柵極電荷
由于內部柵極電阻低，可實現快速切換
在 TJ(max) = 175 ° 的高結溫下能夠穩定工作
快速、可靠的體二極管
卓越的雪崩耐量
符合 RoHS 標準
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 46 A |
| 最大漏源電壓 | 1200 V |
| 封裝類型 | TO-247-4 |
| 安裝類型 | 通孔 |
| 晶體管材料 | SiC |
