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Microchip TN2540N8-G MOSFET

訂貨號：TN2540N8-G 品牌：Microchip

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Microchip TN2540N8-G MOSFET

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這款低閾值增強型（常閉）晶體管采用垂直 DMOS 結(jié)構(gòu)和久經(jīng)考驗的硅柵極制造工藝。該組合可使設(shè)備具有雙極性晶體管的功率處理能力，以及 MOS 設(shè)備固有的高輸入阻抗和正溫度系數(shù)。所有 MOS 結(jié)構(gòu)的特性確保該設(shè)備能夠免受熱耗散和熱感應(yīng)次級擊穿的影響。垂直 DMOS FET 非常適合各種需要極低閾值電壓、高擊穿電壓、高輸入阻抗、低輸入電容和快速切換速度的開關(guān)和放大應(yīng)用。

低閾值（2.0 V 最大值）
高輸入阻抗
低輸入電容（125 pF 最大值）
切換速度快
低接通電阻
無次級擊穿
低輸入和輸出泄漏

屬性	數(shù)值
通道類型	N
最大連續(xù)漏極電流	260 mA
最大漏源電壓	400 V
封裝類型	TO-243AA
安裝類型	表面貼裝
引腳數(shù)目	3
最大漏源電阻值	12 Ω
通道模式	增強
最大柵閾值電壓	2V
最小柵閾值電壓	0.6V
最大功率耗散	1.6 W
晶體管配置	單
最大柵源電壓	20 V
長度	4.6mm
最高工作溫度	+150 °C
寬度	2.6mm
每片芯片元件數(shù)目	1

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