Infineon 將最新的汽車 hex場 功率 mosfet 硅技術與先進 Advanced 平臺結合起來，為汽車 d 類音頻放大器應用提供同類最佳的產品。該封裝與電源應用、印刷電路板裝配設備和汽相、紅外或對流焊接技術等中使用的現有布局幾何結構兼容。該封裝允許雙面冷卻、以最大程度地提高汽車電源系統中的熱傳遞。這些功能相結合、使此 mosfet 成為汽車 d 類音頻放大器系統中非常理想的元件。
先進的工藝技術
175°C 工作溫度
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 18 A |
| 最大漏源電壓 | 150 V |
| 封裝類型 | Direct場 中型 can |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 7 |
| 最大漏源電阻值 | 0.056 o |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 5V |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 晶體管材料 | Si |
