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Microchip VP2206N3-G MOSFET

訂貨號：VP2206N3-G 品牌：Microchip

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Microchip VP2206N3-G MOSFET

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Microchip VP2206 系列是增強型 (常閉) 晶體管，采用垂直 DMOS 結構和 Supertex 久經(jīng)考驗的硅柵極制造工藝。該組合可使設備具有雙極性晶體管的功率處理能力，以及 MOS 設備固有的高輸入阻抗和正溫度系數(shù)。所有 MOS 結構的特性確保該設備能夠免受熱耗散和熱感應次級擊穿的影響。這些垂直 DMOS FET 特別適用于需要極低閾值電壓，高擊穿電壓，高輸入阻抗，低輸入電容和快速切換速度的各種切換和放大應用。

它具有 " 無二級故障 "
它具有低功率驅動要求
它提供易于并聯(lián)，低 CISS 和快速切換速度
它具有高輸入阻抗和高增益，具有出色的熱穩(wěn)定性
它具有一體式源極 - 漏極二極管

屬性	數(shù)值
通道類型	P
最大連續(xù)漏極電流	643 mA
最大漏源電壓	60 V
封裝類型	TO-92
安裝類型	表面貼裝
引腳數(shù)目	3
最大漏源電阻值	1.5. Ω
通道模式	增強
最大柵閾值電壓	3.5V
晶體管材料	硅

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