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Microchip Technology

Microchip Technology 通孔安裝 N 通道 MOSFET 是一款新型老化產(chǎn)品、在 5ohms 柵源電壓下具有 10V 的漏源電阻。它具有 60V 的放電源電壓和 30V 的最大柵源電壓。它具有 310mA 的連續(xù)漏電流和 1W 的最大功耗。 此晶體管的最小和最大驅(qū)動電壓分別為 5V 和 10V 。MOSFET 是一種增強(qiáng)模式（通常關(guān)閉）晶體管、采用垂直 DMOS 結(jié)構(gòu)和經(jīng)過充分驗(yàn)證的硅柵極制造工藝。該組合可使設(shè)備具有雙極性晶體管的功率處理能力，以及 MOS 設(shè)備固有的高輸入阻抗和正溫度系數(shù)。該設(shè)備是所有 MOS 結(jié)構(gòu)的一個重要特征、不會出現(xiàn)熱失控和熱誘發(fā)的二次擊穿。此垂直 DMOS FET 已針對更低的開關(guān)和傳導(dǎo)損耗進(jìn)行了優(yōu)化。MOSFET 可提供卓越的效率以及較長的使用壽命、而不會影響性能或功能。

特點(diǎn)和優(yōu)勢

?易于并行
? 極好的熱穩(wěn)定性
?無需二次故障
?高輸入阻抗和高增益
?集成源排放二極管
?低 CISS 和快速切換速度
?低功率驅(qū)動要求
?工作溫度范圍在 -55°C 和 150°C 之間

應(yīng)用

?放大器
? 轉(zhuǎn)換器
?驅(qū)動器（繼電器、液壓錘、電磁閥、燈、存儲器、顯示器、雙極晶體管等）
?電機(jī)控制
?電源電路
? 開關(guān)

認(rèn)證

? ANSI/ESD S20.20 ： 2014
? BS EN 61340-5-1 ： 2007
? JEDEC