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產(chǎn)品分類

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IXYS IXFN110N85X MOSFET

訂 貨 號(hào):IXFN110N85X      品牌:艾賽思_IXYS

庫(kù)存數(shù)量:10             品牌屬性:進(jìn)口

品牌商價(jià):¥0.00

環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看

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公司基本資料信息







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IXYS IXFN110N85X MOSFET
產(chǎn)品詳細(xì)信息

850V 超結(jié) X 類功率 MOSFET,具有快速體二極管,代表 IXYS 公司新推出的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品系列。這些堅(jiān)固耐用的設(shè)備具有行業(yè)內(nèi)最低通態(tài)電阻,在高壓功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)非常高的功率密度。采用電荷補(bǔ)償原理和專有工藝技術(shù)開發(fā)而成,全新的 850V 設(shè)備具有最低通態(tài)電阻(例如,SOT-227 封裝為 33 毫歐,PLUS264 為 41 毫歐),并具有低柵極電荷和卓越的 dv/dt 性能。

超低接通電阻 RDS(接通)和柵極電荷 Qg
快速體二極管
dv/dt 穩(wěn)定
雪崩等級(jí)
低封裝電感
國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)封裝


屬性 數(shù)值
通道類型 N
最大連續(xù)漏極電流 110 A
最大漏源電壓 850 V
封裝類型 SOT227
安裝類型 表面貼裝
引腳數(shù)目 4
最大漏源電阻值 33 mΩ
通道模式 增強(qiáng)
最大柵閾值電壓 5.5V
最小柵閾值電壓 3.5V
最大功率耗散 1.17 kW
晶體管配置
最大柵源電壓 ±30 V
每片芯片元件數(shù)目 1
寬度 25.07mm
長(zhǎng)度 38.23mm
典型柵極電荷@Vgs 425 @ 10 V nC
最高工作溫度 +150 °C
暫無(wú)

正在載入評(píng)論詳細(xì)...
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