Infineon 將最新的汽車 hex場 功率 mosfet 硅技術(shù)與先進 Advanced 封裝平臺結(jié)合,在采用 so-8 或 5X6mm p自 進封裝及僅 0.7mm 外形的封裝中,可提供卓越的性能。該封裝與電源應(yīng)用、印刷電路板裝配設(shè)備和汽相、紅外或?qū)α骱附蛹夹g(shù)等中使用的現(xiàn)有布局幾何結(jié)構(gòu)兼容。該封裝允許雙面冷卻、以最大程度地提高汽車電源系統(tǒng)中的熱傳遞。
先進的工藝技術(shù)
邏輯水平
高功率密度
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
通道類型 | N |
最大連續(xù)漏極電流 | 112 A |
最大漏源電壓 | 40 V |
封裝類型 | Direct場 中型 can |
安裝類型 | 表面貼裝 |
引腳數(shù)目 | 9 |
最大漏源電阻值 | 0.003 o |
通道模式 | 增強 |
最大柵閾值電壓 | 2.5V |
晶體管材料 | Si |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 |