N/P 雙溝道 MOSFET，高效性能、高效設計，由于 N 溝道和 P 溝道 MOSFET 組合在一個便捷的封裝內，因此這些互補型 MOSFET 設備為空間受限的系統提供更大的靈活性。我們的產品系列包含多種電壓和電流額定值，可滿足各種應用的要求。
20 V，互補型 N/P 溝道 Trench MOSFET，互補型 N/P 溝道增強型場效應晶體管 (FET) 采用無引線超小型 DFN1010B-6 (SOT1216) 表面貼裝器件 (SMD) 塑料封裝，采用 Trench MOSFET 技術。
低漏泄電流
Trench MOSFET 技術
超低閾值電壓 VGS(th) = 0.7 V，適合便攜式應用
無引線超小型和超薄型 SMD 塑料封裝：1.1 ′ 1.0 ′ 0.37 mm
靜電放電 (ESD) 保護：> 1 kV HBM
繼電器驅動器
高速線路驅動器
電平移位電路
電池驅動便攜式設備的電源管理
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N，P |
| 最大連續漏極電流 | 600 mA |
| 最大漏源電壓 | 20 V |
| 封裝類型 | DFN1010B-6, SOT1216 |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 8 |
| 最大漏源電阻值 | 3 Ω |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 0.95V |
| 最小柵閾值電壓 | 0.45V |
| 最大功率耗散 | 4025 mW |
| 最大柵源電壓 | 8 V |
| 每片芯片元件數目 | 6 |
| 長度 | 1.15mm |
| 典型柵極電荷@Vgs | 0.4 nC @ 10 V |
| 寬度 | 1.05mm |
| 最高工作溫度 | +150 °C |
