Infineon 系列分離式 HEXFET? 功率 MOSFET 包括 N 通道設備，采用表面安裝和引線封裝。 形狀系數可解決大多數板布局和熱設計挑戰問題。 在整個范圍內，基準導通電阻減少了傳導損耗，讓設計人員可以提供最佳系統效率。
International Rectifier 的第五代 HEXFETS 利用最新工藝技術實現每硅區域極低接通電阻。此優勢結合 HEXFET 功率 MOSFET 著名的快速切換速度和耐震器件設計，為設計人員提供極其高效和可靠的器件，適用于廣泛的應用。SO-8 經改良通過自定義引線框增強熱特性和多模能力，特別適合各種電源應用。憑借這些改進，用戶可以在應用中使用多個設備，顯著減少板空間。該封裝設計用于汽相、紅外線或波峰焊接技術。
低 RDS（接通）
行業領先的質量
動態 dv/dt 額定值
快速切換
175°C 工作溫度
Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設備組合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類最佳性能，實現更高效率、功率密度和成本效益。需要高質量和增強型保護功能的設計獲益于符合 AEC-Q101 汽車工業標準的 MOSFET。
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 7 A |
| 最大漏源電壓 | 30 V |
| 封裝類型 | SO |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 8 |
| 最大漏源電阻值 | 50 mΩ |
| 通道模式 | 增強 |
| 最小柵閾值電壓 | 1V |
| 最大功率耗散 | 2.5 W |
| 晶體管配置 | 單 |
| 最大柵源電壓 | ±20 V |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 寬度 | 4mm |
| 長度 | 5mm |
| 典型柵極電荷@Vgs | 18 nC @ 10 V |
| 最高工作溫度 | +150 °C |
