Infineon ex場 功率 mosfet 汽車 Q101 具有 300V 的最大漏極源電壓、 19A 的最大連續漏極電流、采用 D2 封裝。它具有壓電注射潛能應用。專門設計用于汽車應用，此 HEXFET? 功率 MOSFET 利用最新工藝技術實現每硅區域極低接通電阻。此設計的其他特點包括 175°c 結點工作溫度、快速切換速度和改進的重復雪崩額定值。這些功能相結合、使此設計成為極其高效和可靠的設備、適用于汽車應用和各種其他應用。
先進的工藝技術
低接通電阻
無鉛，符合 RoHS 標準
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 19 A |
| 最大漏源電壓 | 300 V |
| 封裝類型 | D2PAK (TO-263) |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 3 |
| 最大漏源電阻值 | 0.185. Ω |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 5V |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 晶體管材料 | Si |
