Taiwan Semiconductor 600V ， 3A ， 1。4Ω Ω ， 3 引腳， N 溝道功率 MOSFET 具有單晶體管配置和增強溝道模式。它通常用于電源和照明應用。
超接合技術
小品質因數確保高性能
高堅固性性能
高換向性能
經過 100% UIL 測試
無鉛電鍍
符合 RoHS 指令 2011/65/EU 和 IN
符合 WEEE 2002/96/EC
無鹵素，符合 IEC 61249-2-21 標準
工作溫度范圍 -55 °C 至 +150 °C
最大功耗 38W
柵極閾值電壓范圍為 2V-4V
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 3.3 A |
| 最大漏源電壓 | 600 V |
| 封裝類型 | TO-252 |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 3 + Tab |
| 最大漏源電阻值 | 1.4 Ω |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 4V |
| 最小柵閾值電壓 | 2V |
| 最大功率耗散 | 38 W |
| 晶體管配置 | 單 |
| 最大柵源電壓 | ±30 V |
| 寬度 | 5.8mm |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 典型柵極電荷@Vgs | 7.7 nC @ 10 V |
| 長度 | 6.5mm |
| 最高工作溫度 | +150 °C |
