Infineon 具有 SiC MOSFET ，以 TO247 4 引腳封裝提供可靠且經濟高效的性能。650 V CoolSiC MOSFET 提供性能，可靠性和易用性的獨特組合。它適用于高溫和惡劣操作，可實現最高效的簡化和經濟部署。MOSFET 采用 TO247 4 引腳封裝，可減少對柵極電路的寄生源電感效應，實現更快的切換和更高的效率。
低電容
優化了高電流時的切換行為
卓越的柵極氧化物可靠性
極佳的熱行為
增強的耐雪崩能力
可與標準驅動程序一起使用
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 59 A |
| 最大漏源電壓 | 650 V |
| 封裝類型 | PG-TO247 |
| 安裝類型 | 通孔 |
| 引腳數目 | 4 |
| 最大漏源電阻值 | 0.034 Ω |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 5.7V |
| 晶體管材料 | 硅 |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
