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Infineon IPTC019N10NM5ATMA1 MOSFET

訂貨號：IPTC019N10NM5ATMA1 品牌：IPT

庫存數(shù)量：10 品牌屬性：進(jìn)口

品牌商價(jià)：￥0.00

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Infineon IPTC019N10NM5ATMA1 MOSFET

產(chǎn)品詳細(xì)信息

Infineon IPTC019N10NM5 是 OptiMOS 5 功率 MOSFET 的一部分，采用直插式 TOP 側(cè)冷卻封裝，可提供卓越的熱性能。此創(chuàng)新型封裝結(jié)合 OptiMOS 5 技術(shù)的主要功能，使杰出產(chǎn)品具有 100 V 電壓以及 300 A 的高電流額定值，適用于高功率密度設(shè)計(jì)。通過 TOP 側(cè)面冷卻設(shè)置，排放器暴露在封裝表面， 95% 的散熱可直接提升到散熱器，與收費(fèi)封裝相比， RthJA 性能提高 20% ， RthJC 性能提高 50%。通過 Toll 或 D2PAK 等底部散熱封裝，熱量通過印刷電路板散熱到散熱器，導(dǎo)致高功率損耗。

負(fù)支架
在冷卻系統(tǒng)中節(jié)省成本
提高系統(tǒng)效率，延長電池壽命

屬性	數(shù)值
通道類型	N
最大連續(xù)漏極電流	279 A
最大漏源電壓	100 V
封裝類型	PG-HDSOP-16.
安裝類型	表面貼裝
引腳數(shù)目	16
最大漏源電阻值	0.0019 Ω
通道模式	增強(qiáng)
最大柵閾值電壓	3.8V
每片芯片元件數(shù)目	1

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