Infineon IPB017N10N5 是 optiMOS 100V 功率 MOSFET ，采用 D2PAK 7 引腳封裝， RDS (接通) 低 22%。它專門設計用于電信塊中的同步整流，包括 OR-ING ，熱插拔和電池保護，以及用于服務器電源應用。
經優化可用于同步整流
特別適用于高切換頻率
輸出電容下降多達 44%
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 180 A |
| 最大漏源電壓 | 100 V |
| 封裝類型 | TO-263 |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 7 + Tab |
| 最大漏源電阻值 | 2.2 mΩ |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 3.8V |
| 最小柵閾值電壓 | 2.2V |
| 最大功率耗散 | 375 W |
| 晶體管配置 | 單 |
| 最大柵源電壓 | 20 V |
| 長度 | 10.31mm |
| 寬度 | 11.05mm |
| 最高工作溫度 | +175 °C |
| 典型柵極電荷@Vgs | 168 nC @ 10 V |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
