英飛凌公司最新的 40 v 強大的 irfet 功率 mosfet 器件針對高電流和低 rds （接通）進行了優化，使其成為高電流電池供電應用的理想解決方案。它采用工業標準封裝、提供設計靈活性。它能夠為嘈雜環境中的假開啟提供抗擾性。
它具有 175°c 工作溫度
高電流載流量
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 360 A |
| 最大漏源電壓 | 40 V |
| 封裝類型 | Pg － TO263 － 7 |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 7 |
| 最大漏源電阻值 | 0.00065 o |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 3.7V |
| 晶體管材料 | Si |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
