Infineon IRL60HS118 N 通道功率 MOSFET 提供三種不同的電壓類別（60 V、80 V 和 100 V），Infineon 新型邏輯電平功率 MOSFET 非常適合于無線充電、電信和適配器應用。PQFN 2x2 封裝特別適合于高速切換和物理尺寸起到決定性作用的應用。功率密度和效率更高，顯著節省空間。
更高的功率密度設計
更高的開關頻率
選用 OptiMOSTM5 芯片
可減少 5V 供電處的部件數量
直接由微控制器驅動（慢切換）
系統成本降低
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 18.5 A |
| 最大漏源電壓 | 60 V |
| 封裝類型 | PQFN |
| 安裝類型 | 表面安裝器件 |
