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the Infineon ex場 功率 mosfet 采用 direct場 效應(yīng)管（ mz ）封裝，具有 80V 的最大漏極源電壓，額定電流為 55 安培，經(jīng)優(yōu)化具有低接通電阻。IRF6668PbF 將最新的 hex場 ? 功率 mosfet 硅技術(shù)與先進 Advanced ? 封裝技術(shù)相結(jié)合，以實現(xiàn)最低的導(dǎo)通電阻，封裝尺寸僅為 so-8 和 0.7 mm 。direct場 封裝與電源應(yīng)用、印刷電路板裝配設(shè)備和汽相、紅外或?qū)α骱附蛹夹g(shù)中使用的現(xiàn)有布局幾何結(jié)構(gòu)兼容。對于制造方法和工藝、請遵循應(yīng)用說明 a-1035 。directet 封裝允許雙面冷卻、以最大程度地提高電源系統(tǒng)中的熱傳輸、將以前最佳的熱阻提高 80% 。

無鉛（最高 260°c 回流）
特別適用于高性能隔離轉(zhuǎn)換器主開關(guān)插座
經(jīng)優(yōu)化可用于同步整流
低傳導(dǎo)損耗
高 cdv/dt 抗擾性