hex場 ? 功率 Infineon 設計利用最新的處理技術，可在每個硅片區域實現低接通電阻。此優勢結合了 ex場 效應功率式高功率器件聞名的快速開關速度和耐震器件設計、為設計人員提供了一個極其高效和可靠的器件、適用于汽車和各種其他應用。
先進的平面技術
雙 n 溝道 mosfet 低接通電阻
邏輯電平柵極驅動
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 4.7 A |
| 最大漏源電壓 | 30 V |
| 封裝類型 | SO-8 |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 引腳數目 | 8 |
| 最大漏源電阻值 | 0.16 Ω |
| 最大柵閾值電壓 | 3V |
| 每片芯片元件數目 | 1 |
| 晶體管材料 | 硅 |
