英飛凌的 cool mos P6 超級結 mosfet 系列設計用于實現更高的系統效率、同時易于設計。 cool mos P6 消除了專注于提供終極性能的技術與專注于易用性的技術之間的差距。
降低柵極電荷（ q g ）
更高的 v
良好的主體二極管堅固性
優化的集成 r g
dv/dt 從 50V 提高到 nds/ ns
超酷 mos ?質量，具有 12 年以上的制造經驗 超級連接技術
提高效率、尤其是在輕負載條件下
由于更早的關閉、在軟切換應用中效率更高
適用于硬切換和軟切換拓撲
優化了效率和易用性與良好之間的平衡 切換行為的可控性
高堅固性和更高的效率
卓越的質量和可靠性
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 通道類型 | N |
| 最大連續漏極電流 | 109 a |
| 最大漏源電壓 | 650 V |
| 封裝類型 | Pg 至 247 |
| 安裝類型 | 通孔 |
| 引腳數目 | 3 |
| 最大漏源電阻值 | 0.099 o |
| 通道模式 | 增強 |
| 最大柵閾值電壓 | 4..5V |
| 每片芯片元件數目 | 2 |
