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International Rectifier IRFH3702TR2PBF MOSFET

訂貨號：IRFH3702TR2PBF 品牌：TIF

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Infineon 系列分離式 HEXFET? 功率 MOSFET 包括 N 通道設(shè)備，采用表面安裝和引線封裝。形狀系數(shù)可解決大多數(shù)板布局和熱設(shè)計挑戰(zhàn)問題。在整個范圍內(nèi)，基準(zhǔn)導(dǎo)通電阻減少了傳導(dǎo)損耗，讓設(shè)計人員可以提供最佳系統(tǒng)效率。

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Infineon 提供龐大且全面的 MOSFET 設(shè)備組合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它們提供同類最佳性能，實現(xiàn)更高效率、功率密度和成本效益。需要高質(zhì)量和增強型保護功能的設(shè)計獲益于符合 AEC-Q101 汽車工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的 MOSFET。

屬性	數(shù)值
通道類型	N
最大連續(xù)漏極電流	16 A
最大漏源電壓	30 V
封裝類型	QFN
安裝類型	表面貼裝
引腳數(shù)目	8
最大漏源電阻值	7 mΩ
通道模式	增強
最大功率耗散	2.8 W
最大柵源電壓	-20 V、+20 V
寬度	3mm
長度	3mm
最高工作溫度	+150 °C
每片芯片元件數(shù)目	1
典型柵極電荷@Vgs	9.6 nC @ 4.5 V

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