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IXYS IXYN82N120C3H1 IGBT

訂 貨 號:IXYN82N120C3H1      品牌:艾賽思_IXYS

庫存數(shù)量:10             品牌屬性:

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公司基本資料信息







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IXYS IXYN82N120C3H1 IGBT
產(chǎn)品詳細信息

IGBT 分立元件,IXYS XPT 系列

IXYS 的 XPT? 系列分立件 IGBT 采用超輕穿通薄芯片技術(shù),可降低熱電阻和能源損耗。 這些設備提供快速切換時間,具有低尾線電流,并提供各種工業(yè)標準和專有封裝。

高功率密度和低 VCE(sat)
方形反向偏置安全工作區(qū)域 (RBSOA) 高達額定擊穿電壓
短路容量,確保 10usec
正向通態(tài)電壓溫度系數(shù)
可選 Co-Pack Sonic-FRD? 或 HiPerFRED? 二極管
國際標準和專有高電壓封裝

IGBT 分立元件和模塊,IXYS

絕緣柵級雙極性晶體管或 IGBT 是一種三端子功率半導體設備,以高效和快速切換著稱。 IGBT 通過將用于控制輸入的隔離柵極 FET 和用作開關(guān)的雙極性功率晶體管組合在單個設備中,將 MOSFET 的簡單柵極驅(qū)動特性與雙極性晶體管的高電流和低飽和電壓能力組合在一起。


屬性 數(shù)值
最大連續(xù)集電極電流 105 A
最大集電極-發(fā)射極電壓 1200 V
最大柵極發(fā)射極電壓 ±20V
最大功率耗散 500 W
封裝類型 SOT-227B
安裝類型 表面貼裝
通道類型 N
引腳數(shù)目 4
開關(guān)速度 20 → 50kHz
晶體管配置
尺寸 38.2 x 25 x 9.6mm
暫無

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