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onsemi NGTB60N65FL2WG IGBT

訂 貨 號：NGTB60N65FL2WG      品牌：安森美_Onsemi

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onsemi NGTB60N65FL2WG IGBT
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IGBT 分立，On Semiconductor

絕緣柵級雙極性晶體管 (IGBT)，用于電動機驅(qū)動器和其他高電流切換應用。

IGBT 分立，On Semiconductor

絕緣柵級雙極性晶體管或 IGBT 是一種三端子功率半導體設備，以高效和快速切換著稱。 IGBT 通過將用于控制輸入的隔離柵極 FET 和用作開關的雙極性功率晶體管組合在單個設備中，將 MOSFET 的簡單柵極驅(qū)動特性與雙極性晶體管的高電流和低飽和電壓能力組合在一起。


屬性 數(shù)值
最大連續(xù)集電極電流 100 A
最大集電極-發(fā)射極電壓 650 V
最大柵極發(fā)射極電壓 ±20 V, ±30 V
最大功率耗散 595 W
封裝類型 TO-247
安裝類型 通孔
通道類型 N
引腳數(shù)目 3
晶體管配置 單
尺寸 16.26 x 5.3 x 21.08mm
暫無

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