ON Semiconductor 完全集成的反相器功率級包括一個高電壓驅動器，六個 IGBT 和一個熱敏電阻，適用于驅動永磁同步電動機，無刷直流電動機和交流異步電動機。IGBT 配置在 3 相橋中，帶有單獨的發射器連接，用于較低的支腳，以在選擇控制算法時提供最大的靈活性。
DBC 具有良好的散熱性
通過高功率密度優化損耗和 EMI
多功能集成，用于緊湊型設計
通過嵌入式 NTC 實現更準確的模塊溫度測量
集成限幅二極管和電阻器
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 最大集電極-發射極電壓 | 600 V |
| 最大功率耗散 | 50 W |
| 晶體管數 | 6 |
| 封裝類型 | DIP |
| 通道類型 | N |
| 引腳數目 | 38 |
| 晶體管配置 | 串行 |
