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Infineon 的這款 EasyPACK 2B 650 V、100 A 3 級 IGBT 模塊配有 Trench/Fieldtop IGBT H3 和快速二極管以及 PressFIT / NTC。該器件采用緊湊型設(shè)計(jì)，使用便捷，性能得到了優(yōu)化。該器件具備額外的優(yōu)勢，如阻斷電壓能力提高到 650 V、低電感設(shè)計(jì)、低開關(guān)損耗和低 VCE (sat)。它使用 Al2O3 基片和 PressFIT 觸點(diǎn)技術(shù)，熱電阻低。由于隨附集成式安裝夾，該器件安裝牢固。

性價(jià)比最高，且降低系統(tǒng)成本
設(shè)計(jì)自由度高，并采用 IGBT HighSpeed 3 技術(shù)
效率最高，功率密度最高