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IXYS XPT（超強(qiáng)光穿透）IGBT 具有 29 A 到 178 A 的額定電流范圍，非常適合用于高電壓、高速功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用。這些設(shè)備采用專有的薄芯片 XPT 技術(shù)和最先進(jìn)的 IGBT 工藝設(shè)計(jì)而成，具有低熱阻、低尾電流、低能耗和高速切換能力等特性。此外，得益于其通態(tài)電壓的正溫度系數(shù)，新型高電壓 IGBT 可并聯(lián)使用，提供比串聯(lián)的低電壓設(shè)備更經(jīng)濟(jì)高效的解決方案。

薄芯片 XPT 技術(shù)
低通態(tài)電壓 VCE(sat)
Co-pack 快恢復(fù)二極管
正溫度系數(shù) VCE(sat)
高效率
增強(qiáng)電源系統(tǒng)可靠性
應(yīng)用
脈沖發(fā)生器電路
激光和 X 射線發(fā)生器
高電壓電源
高電壓測(cè)試設(shè)備
電容器放電電路
交流開關(guān)