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這款意法半導(dǎo)體產(chǎn)品為采用先進(jìn)的專有場截止型溝槽柵結(jié)構(gòu)開發(fā)的 IGBT。此設(shè)備屬于 M 系列 IGBT，對于極為需要低損耗和短路功能的逆變器系統(tǒng)，在性能和效率之間取得最佳平衡。此外，VCE(sat) 溫度系數(shù)為正且參數(shù)分布緊密，可讓并聯(lián)操作更安全。

最大接點(diǎn)溫度 175 °C
短路耐受時間 10 μs
VCEsat 參數(shù)低
參數(shù)分布緊密
VCEsat 溫度系數(shù)為正
低熱阻
反并聯(lián)軟快恢復(fù)二極管