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訂 貨 號(hào):DF200R07W2H3B77BPSA1 品牌:英飛凌_Infineon
庫(kù)存數(shù)量:10 品牌屬性:進(jìn)口
品牌商價(jià):¥0.00
環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看
Infineon 的這款 EasyPACK 2B 650 V、100 A 3 級(jí) IGBT 模塊配有 Trench/Fieldtop IGBT H3 和快速二極管以及 PressFIT / NTC。該器件采用緊湊型設(shè)計(jì),使用便捷,性能得到了優(yōu)化。該器件具備額外的優(yōu)勢(shì),如阻斷電壓能力提高到 650 V、低電感設(shè)計(jì)、低開(kāi)關(guān)損耗和低 VCE (sat)。它使用 Al2O3 基片和 PressFIT 觸點(diǎn)技術(shù),熱電阻低。由于隨附集成式安裝夾,該器件安裝牢固。該器件提供增壓器配置,采用 IGBT HighSpeed 3 技術(shù)。
性價(jià)比最高,且降低系統(tǒng)成本
設(shè)計(jì)自由度高
效率最高,功率密度最高
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
最大連續(xù)集電極電流 | 40 A,70 A |
最大集電極-發(fā)射極電壓 | 650 V |
最大柵極發(fā)射極電壓 | ±20V |
最大功率耗散 | 20 mW |
晶體管數(shù) | 4 |