onsemi FGHL50T65MQDT IGBT
產品詳細信息
ON Semiconductor 650 V , 50 A FS4 中切換速度 IGBT。這通過平衡 VCE (sat) 和 Eoff 損耗以及可控掉頭 VCE 過沖來提供出眾性能。非常適合太陽能逆變器, UPS , EV 充電站, ESS 和其他高性能功率轉換應用。
正溫度系數
易于并聯操作
低切換損耗
低傳導損耗
屬性 |
數值 |
最大連續集電極電流 |
80 A |
最大集電極-發射極電壓 |
650 V |
最大柵極發射極電壓 |
20V |
最大功率耗散 |
268 W |
晶體管數 |
30 |
封裝類型 |
TO-247-3L |