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Fairchild Semiconductor FGH25N120FTDS IGBT

訂 貨 號：FGH25N120FTDS      品牌：IRC

庫存數(shù)量：10             品牌屬性：

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Fairchild Semiconductor FGH25N120FTDS IGBT
產(chǎn)品詳細信息

分離式 IGBT、1000V 及以上，F(xiàn)airchild Semiconductor

IGBT 分立件和模塊，F(xiàn)airchild Semiconductor

絕緣柵級雙極性晶體管或 IGBT 是一種三極管功率半導體設(shè)備，以高效和快速切換著稱。 IGBT 通過將用于控制輸入的隔離柵極 FET 和用作開關(guān)的雙極性功率晶體管組合在單個設(shè)備中，將 MOSFET 的簡單柵極驅(qū)動特性與雙極性晶體管的高電流和低飽和電壓能力組合在一起。


屬性 數(shù)值
最大連續(xù)集電極電流 50 A
最大集電極-發(fā)射極電壓 1200 V
最大柵極發(fā)射極電壓 ±25V
最大功率耗散 313 W
封裝類型 TO-247
安裝類型 通孔
通道類型 N
引腳數(shù)目 3
晶體管配置 單
尺寸 15.87 x 4.82 x 20.82mm
暫無

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