當(dāng)前位置: 首頁(yè) > 工業(yè)電子產(chǎn)品 > 無(wú)源元器件 > IGBT器件 > 低功率IGBT
+比較
訂 貨 號(hào):SI7121ADN-T1-GE3 品牌:威世_Vishay
庫(kù)存數(shù)量:10 品牌屬性:
品牌商價(jià):¥0.00
環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看
Vishay 表面安裝 P 溝道 PowerPAK-1212-8 MOSFET 是一款新時(shí)代的產(chǎn)品,漏極源電壓為 30V ,最大柵極源電壓為 25V。它在柵極源電壓為 10V 時(shí)具有 15 mohms 的漏 - 源電阻。它的最大功耗為 27.8W ,連續(xù)漏極電流為 18A。它的最小和最大驅(qū)動(dòng)電壓分別為 4.5V 和 10V。此產(chǎn)品經(jīng)過(guò)優(yōu)化,可降低切換和傳導(dǎo)損耗。借助此 MOSFET ,可以以更低的成本實(shí)現(xiàn)出色的性能和效率。MOSFET 提供出色的效率和長(zhǎng)工作壽命,而不影響性能或功能。
? 無(wú)鹵素
?小尺寸低熱阻 Powerpak 封裝
?最大耗散功率為 27.8W
?工作溫度范圍介于 -50°C 和 150°C 之間
? TrenchFET 功率 MOSFET
?移動(dòng)計(jì)算
?適配器開(kāi)關(guān)
?負(fù)載開(kāi)關(guān) - 電池管理
? 筆記本電腦
? 電源管理
? ANSI/ESD S20.20 : 2014
? BS EN 61340-5-1 : 2007
?經(jīng)過(guò) RG 測(cè)試
? UIS 測(cè)試