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STMicroelectronics 650 v HB2 系列代表先進(jìn) Advanced gate field-stop 結(jié)構(gòu)的演變。由于在低電流值下具有更好的 vce （ sat ）行為、以及在降低切換能量方面、 HB2 系列的傳導(dǎo)性能得到了優(yōu)化。

最大接點(diǎn)溫度： tj = 175 °c
低 vce （ sat ） = 1.65 v （典型值） @ ic = 30 a
非常快速且軟恢復(fù)的共封二極管
最小化尾電流
嚴(yán)格的參數(shù)分布
低熱阻