ON Semiconductor 1200 V ， 40 A 超場截止 IGBT。此 IGBT 使用快速切換共封裝二極管，使其特別適用于硬切換應用，其中 EON ， IRRM 和 TRR 是決定損耗的重要因素。超場停止 IGBT 為低傳導損耗設備提供出色的 切換損耗。
40 A 時低 VCE (sat) 1.55V
Eon 1.04mJ @ 600V/40A
Eoff 1.35mJ @ 600V/40A
IRRM 41.3A @ 175C 1A/ns 40A
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 最大連續集電極電流 | 80 A |
| 最大集電極-發射極電壓 | 1200 V |
| 最大柵極發射極電壓 | 20V |
| 最大功率耗散 | 153 W |
| 晶體管數 | 30 |
| 封裝類型 | TO-247 |
