此單個 P 通道 MOSFET 采用 Advanced Power Trench 工藝設計,可優(yōu)化 RDS(on)@VGS=-2.5V
-150 mA , 20 V
RDS(on) =8 Ω @VGS=-4.5 伏
RDS(on) =12 Ω @VGS=-2.5 伏
ESD 保護二極管(注釋 3 )
應用
該產(chǎn)品可通用,適用于許多不同的應用。
鋰離子電池組
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
封裝類型 | SOT-523FL. |
安裝類型 | 表面貼裝 |
最大功率耗散 | 625 W |
引腳數(shù)目 | 3 |
每片芯片元件數(shù)目 | 1 |