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訂 貨 號(hào):NSVT65010MW6T1G 品牌:安森美_Onsemi
庫(kù)存數(shù)量:10 品牌屬性:進(jìn)口
品牌商價(jià):¥0.00
環(huán) 球 價(jià): 登陸后可查看
NPN 或 PNP 雙極晶體管對(duì)采用單一封裝,用于基射極電壓 (VBE) 和電流增益 (hFE)。
屬性 | 數(shù)值 |
---|---|
晶體管類型 | PNP |
最大直流集電極電流 | 100 mA |
最大集電極-發(fā)射極電壓 | 65 V |
封裝類型 | SOT-363 (SC-88) |
安裝類型 | 表面貼裝 |
最大功率耗散 | 380 mW |
晶體管配置 | 隔離式 |
最大集電極-基極電壓 | -80 V |
最大發(fā)射極-基極電壓 | -5 V |
最大工作頻率 | 100 MHz |
引腳數(shù)目 | 6 |
每片芯片元件數(shù)目 | 2 |