高電子遷移率晶體管（HEMT，也稱為異質結構或異質結 FET）是結型 FET，利用兩種材料，具有不同帶隙（即異質結），用作 MOSFET 中替換摻雜區的通道。 HEMT 晶體管具有良好的高頻率特性且通常用于小信號、低噪聲 RF 應用。
HEMT、HFET、HJ-FET 和 MODFET 是用于描述此類型晶體管的所有術語。
pHEMT 或假同晶 HEMT 是基本 HEMT 晶體管類型的變型，具有 E-pHEMT 設備，正成為增強模式類型。
一系列 JFET（接線場效應晶體管）和 HEMT/HFET（高電子遷移率晶體管/異質結 FET）分立半導體設備。
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 封裝類型 | SOT-343 |
| 安裝類型 | 表面貼裝 |
| 最大功率耗散 | 725 mW |
| 引腳數目 | 4 |
