發布日期：2022-07-14 點擊率：36
Atmel公司近日推出μm的AT58900 RF CMOS工藝技術,主要面向需要高速低功耗RF器件(如wlan、wimax及zigbee等應用)的ASIC代工用戶。這種新工藝在200mm的晶圓上進行制造,可實現 CMOS晶體管和大量陣列的無源元件,包括低容差的模擬聚乙烯電阻、N+和P+ S/D電阻以及多達4層的金屬層,其RF焊盤有助于降低接口阻抗。
可選功能包括用于片上模擬微調或低密度數據存儲的單聚乙烯EEPROM、高Q值低噪聲金屬-絕緣層-金屬(MIM)電容以及P+/N-變容二極管等。同時片上厚鋁制電感可實現阻抗匹配,以減少片外元件的數量。設人員可使用第5和第6金屬層來簡化信號的路由。此外還能集成的輸入/輸出接口,從而無需片外倍壓器。
該公司的μm的AT58900 RF CMOS工藝技術現已面市。
