賽米控提供混合碳化硅功率模塊如，MiniSKiiP, SEMITRANS, SEMiX 3 Press-Fit和SKiM63/93。將最新的IGBT技術和由領先供應商所提供的SiC（碳化硅）肖特基二極管結合在一起，以提高開關頻率，同時減少功率損耗。
可提供的混合碳化硅功率模塊電流為50A - 600A,電壓為 1200V。涵蓋三相全橋和半橋拓撲結構。
SiC（碳化硅）肖特基續流二極管所帶來的開關損耗近乎為零, 同時能大大降低IGBT的導通損耗。這些效果可以在同一個模塊封裝里帶來更高的開關頻率，它有效地降低了對如太陽能逆變器、UPS系統或高頻電源的輸出端的濾波要求。而且可實現比標準硅功率模塊更高的輸出功率。
大圖 
列表 