當前位置： 首頁 > 工業電子產品 > 無源元器件 > 光電耦合器 > MOSFET輸出光電耦合器
+比較
FOD8343T - 8 mm 爬電距離和間隙距離、以及 0.4 mm 絕緣距離、以實現可靠和高電壓絕緣
4.0 A Peak Output Current Driving Capability for Medium Power IGT/MOSFET
在輸出級使用 P 通道 MOSFET 可使輸出電壓擺動接近電源軌
20 kV/m Ω μs 共模抑制
寬電源電壓范圍： 10 V 至 30 V
在整個工作溫度范圍內的快速切換速度
210 ns 最大傳播延遲
65 ns 最大脈寬失真
欠壓鎖定（ UVLO ）、帶滯后功能
擴展工業溫度范圍： -40°C 至 100°C
應用
交流和無刷直流電動機驅動器
工業逆變器
不間斷電源
感應加熱
隔離式 IGB/ 電源 MOSFET 柵極驅動器
| 屬性 | 數值 |
|---|---|
| 安裝類型 | 表面安裝 |
| 輸出設備 | 推挽式 MOSFET |
| 最大正向電壓 | 1.8V |
| 通道數目 | 1 |
| 針數目 | 6 |
| 封裝類型 | SOP |
| 典型上升時間 | 38ns |
| 最大輸入電流 | 25 mA |
| 隔離電壓 | 5000 V 有效值交流 |
| 邏輯輸出 | 是 |
| 典型下降時間 | 24ns |
| 系列 | FOD8343 |
