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onsemi MTD3055VL MOSFET

訂貨號(hào)：MTD3055VL 品牌：Onsemi/安森美

庫存數(shù)量：10 品牌屬性：

RoHS：符合

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半導(dǎo)體 MOSFET 晶體管，半

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在半 MOSFET 上，可提供卓越的設(shè)計(jì)可靠性，從降低的電壓峰值和過沖，到降低接點(diǎn)電容和反向恢復(fù)電荷，以及消除額外的外部組件，從而使系統(tǒng)保持較長的運(yùn)行時(shí)間。

屬性	數(shù)值
通道類型	N
最大連續(xù)漏極電流	12 A
最大漏源電壓	60 V
封裝類型	DPAK (TO-252)
安裝類型	表面貼裝
引腳數(shù)目	3
最大漏源電阻值	180 mΩ
通道模式	增強(qiáng)
最小柵閾值電壓	1V
最大功率耗散	48 W
晶體管配置	單
最大柵源電壓	-20 V、+20 V
長度	6.73mm
晶體管材料	Si
最高工作溫度	+175 °C
每片芯片元件數(shù)目	1
寬度	6.22mm
典型柵極電荷@Vgs	10 nC @ 5 V

暫無

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